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SDRAM初始化(sdram_init)_sdram上电初始化过程代码

sdram上电初始化过程代码
SDRAM 的初始化是芯片上电后必须进行的一项操作,只有进行了初始化操作的SDRAM 芯片才可被正常使用。

① 上电后先延时 100us,此过程中为空操作命令NOP。但前文又说 200us 内都可能有命令,干脆这里取 T = 200us 吧。

② 200us 时间等待结束后,写入预充电命令P_CHARGE,对所有 Bank 进行预充电。然后等待时间 tRP,这期间为空操作命令NOP

③ tRP等待时间结束后,写入自动刷新命令AUTO_REF,然后等待时间 tRC,这期间为空操作命令NOP

④ tRC等待时间结束后,再次写入自动刷新命令AUTO_REF,然后等待时间 tRC,这期间为空操作命令NOP

⑤ tRC等待时间结束后,写入配置模式寄存器命令M_ERG_SET,然后等待时间 tMRD,这期间为空操作命令NOP。等待tMRD结束之后 SDRAM 初始化完成。

                       3'b000,     //A12-A10:预留
                        1'b0,       //A9=0:读写方式,0:突发读&突发写,1:突发读&单写
                        2'b00,      //{A8,A7}=00:标准模式,默认
                        3'b011,     //{A6,A5,A4}=011:CAS潜伏期,010:2,011:3,其他:保留
                        1'b0,       //A3=0:突发传输方式,0:顺序,1:隔行
                        3'b111      //{A2,A1,A0}=111:突发长度,000:单字节,001:2字节
                                    //010:4字节,011:8字节,111:整页,其他:保留

 

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