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① 上电后先延时 100us,此过程中为空操作命令NOP。但前文又说 200us 内都可能有命令,干脆这里取 T = 200us 吧。
② 200us 时间等待结束后,写入预充电命令P_CHARGE,对所有 Bank 进行预充电。然后等待时间 tRP,这期间为空操作命令NOP。
③ tRP等待时间结束后,写入自动刷新命令AUTO_REF,然后等待时间 tRC,这期间为空操作命令NOP。
④ tRC等待时间结束后,再次写入自动刷新命令AUTO_REF,然后等待时间 tRC,这期间为空操作命令NOP。
⑤ tRC等待时间结束后,写入配置模式寄存器命令M_ERG_SET,然后等待时间 tMRD,这期间为空操作命令NOP。等待tMRD结束之后 SDRAM 初始化完成。
3'b000, //A12-A10:预留
1'b0, //A9=0:读写方式,0:突发读&突发写,1:突发读&单写
2'b00, //{A8,A7}=00:标准模式,默认
3'b011, //{A6,A5,A4}=011:CAS潜伏期,010:2,011:3,其他:保留
1'b0, //A3=0:突发传输方式,0:顺序,1:隔行
3'b111 //{A2,A1,A0}=111:突发长度,000:单字节,001:2字节
//010:4字节,011:8字节,111:整页,其他:保留
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