亚阈值区MOSFET阈值电压Vth随温度变化曲线仿真【Cadence】_阈值电压仿真

作者：很楠不爱3 | 2024-04-01 18:10:36

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阈值电压仿真

亚阈值区NMOS Vth随温度变化曲线仿真【cadence】

一、测试电路搭建

这里我使用的工艺是SIMC的0.18微米工艺库，电路如下图：
测试电路
其中NMOS的W/L设为6u/3u，可根据实际情况而定。

二、ADE_L仿真环境设置

Vds的初始值设定为80mV，Vgs的初始值设定为200mV，目的是保证NMOS工作于亚阈值区。
在这里插入图片描述
选择使用dc分析，勾选Save DC Opearting point选项后，点击OK。

点击Tools，选择parametric Analysis，扫描温度变量temp，扫描方式随意，点击绿色运行按钮。

返回ADL_X界面，选择Results Browser

在左上角选择dcOpinfo，然后选择NM1，在左下角双击Vth，即可得到Vthy随温度变化的曲线了（如右图所示）。
在这里插入图片描述

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